一、概述
BRT-K型射頻導(dǎo)納物位開(kāi)關(guān)采用射頻導(dǎo)納技術(shù)，解決了物料粘附問(wèn)題，具有較高的穩(wěn)定性，即使在惡劣的工況下，也能可靠工作，而不受掛料、溫度、壓力、材料密度甚至物料化學(xué)特性變化的影響。
二、工作原理
1、電子單元
點(diǎn)位射頻導(dǎo)納技術(shù)與電容技術(shù)的重要區(qū)別是采用了三端技術(shù)。在電路單元測(cè)量信號(hào)上引出一根線(xiàn)，經(jīng)同相放大器放大，其輸出與同軸電纜屏蔽層相連，然后連接到探頭的屏蔽層上。該放大器是一個(gè)同相放大器，其增益為“1”，輸出信號(hào)與輸入信號(hào)等電位，同相位，同頻率，但互相隔離。地線(xiàn)是電纜中最外面的屏蔽層。由于同軸電纜的中心線(xiàn)與外層屏蔽存在上述關(guān)系，所以二者之間沒(méi)有電位差，也就沒(méi)有電流流過(guò)，即沒(méi)有電流從中心線(xiàn)漏出來(lái)，相當(dāng)于二者之間沒(méi)有電容或者說(shuō)電容為零。因此電纜的溫度效應(yīng)，安裝電容等也就不會(huì)產(chǎn)生影響。
2、傳感器探頭
對(duì)于探頭上的掛料問(wèn)題，采用一種新的探頭結(jié)構(gòu)，五層同心結(jié)構(gòu)：最里層是中心測(cè)桿，中間是中心屏蔽層，最外邊是接地的安裝螺紋，用絕緣層將其分別隔離開(kāi)來(lái)。
與同軸電纜的情況是一樣的，中心測(cè)桿與屏蔽層之間沒(méi)有電勢(shì)差，即使傳感元件上掛料斜阻抗很小，也不會(huì)有電流流過(guò)，電子儀器測(cè)量的僅僅是從探頭中心到對(duì)面罐壁的電流，因?yàn)橹行脑茏璧K電流沿探頭向上流向容器壁，因而對(duì)地電流只有經(jīng)探頭末端通過(guò)被測(cè)物料到對(duì)面容器壁。即Ua=Ub Iab=(Ua-Ub)/R=0。由于屏蔽層與容器壁之間存在電勢(shì)差，兩者之間雖有電流流過(guò)，但是該電流不被測(cè)量，不影響測(cè)量結(jié)果。這樣就將測(cè)量端保護(hù)起來(lái)，不受掛料的影響。只有容器中的物位確實(shí)上升接觸到中心測(cè)量桿時(shí)，通過(guò)被測(cè)物料，中心測(cè)桿與地之間形成被測(cè)電流。
